硅元素是地殼中除氧元素外的最多元素，硅本身導(dǎo)電性能不好，但是添加適量的摻雜劑來(lái)控制電阻率。 制造半導(dǎo)體前，必須將硅轉(zhuǎn)換為晶圓片。晶圓片是由多晶硅（多晶硅是不能用來(lái)做半導(dǎo)體電路）摻雜練成單晶硅通過(guò) Czochralski (CZ) 方法生長(zhǎng)成硅錠，硅錠用金剛石鋸來(lái)準(zhǔn)確切割成晶圓片。晶圓片再進(jìn)行研磨，打薄，蝕刻、清洗、倒角、拋光……步驟，形成晶圓片成品。

晶圓片拋光面用來(lái)生產(chǎn)電路，這面必須沒(méi)有任何突起、微紋、劃痕和殘留損傷。拋光過(guò)程分為兩個(gè)步驟，切削和最終拋光。切削過(guò)程是去除硅上薄薄的一層，以生產(chǎn)出表面沒(méi)有損傷的晶圓片。最終拋光并不去除任何物質(zhì)，只是從拋光表面去除切削過(guò)程中產(chǎn)生的微坑。

拋光后，晶圓片要通過(guò)一系列清洗槽的清洗，這一過(guò)程是為去除表面顆粒、金屬劃痕和殘留物。之后，要經(jīng)常進(jìn)行背面擦洗以去除最小的顆粒。這些晶圓片經(jīng)過(guò)清洗后，將他們按照最終用戶的要求分類(lèi)，并在高強(qiáng)度半導(dǎo)體晶圓片檢查燈下檢查，以便發(fā)現(xiàn)不必要的顆?；蚱渌毕?/strong>。一旦通過(guò)一系列的嚴(yán)格檢測(cè)，最終的晶圓片即被包裝在片盒中并用膠帶密封。然后把它們放在真空封裝的塑料箱子里，外部再用防護(hù)緊密的箱子封裝，以確保離開(kāi)超凈間時(shí)沒(méi)有任何顆粒和濕氣進(jìn)入片盒。