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半導(dǎo)體SiC外延層缺陷主要有晶體缺陷和表面形貌缺陷，一旦形成缺陷就大大提高半導(dǎo)體材料不良率并引起不良反應(yīng)，如：小坑缺陷可能引起器件漏電流增大,影響SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET)柵氧可靠性。深圳熒鴻半導(dǎo)體缺陷檢測燈SL8500可用于半導(dǎo)體外延片的缺陷瑕疵檢測，詳情咨詢0755-89233889。以下為整理的SiC外延層常見的缺陷及行成原因，僅供參考：
| 缺陷種類 | 行成原因 |
| 點缺陷 | 外延層中C空位，Si空位、間隙原子等引入的局部集體缺陷，會引入載流子復(fù)合中心 |
| 螺位錯 | 襯底螺位向外延層的貫穿、其密度與襯底密度接近 |
| 微管缺陷 | 襯底微管缺陷向外延層的貫穿 |
| 刃位錯 | 襯底刃位錯向外延層的貫穿，其密度與襯底密度接近 |
| 基晶面位錯 | 襯底中平行于（11-20）方向的基晶面位錯向外延層的貫穿，而襯底的基晶面位錯發(fā)部分轉(zhuǎn)換成了刃位錯 |
| 界面位錯 | 外延層與襯底之間較大的摻雜濃度差異，或者晶片內(nèi)存在因不均勻加熱為導(dǎo)致的熱彈性應(yīng)力 |
| 堆垛層錯 | Shockley-type層錯來源于外延層基晶面位錯的滑移
Frank-typ層錯來源于襯底層錯向外延層的貫穿 |
| 掉落顆粒物 | 外延生長過程中掉落在襯底表面上的黑色無定型碳、SiC或其他塵埃顆粒，陷于外延層中，行成大小不一、形狀各異的外延形貌缺陷 |
| 三角形缺陷 | 外來顆粒、襯底中的螺位錯、表面劃痕等都會產(chǎn)生表面為三角形的缺陷 |
| 胡羅畢缺陷 | 襯底中的螺位錯、襯底表面的劃痕等都會產(chǎn)生表面為胡蘿卜形狀的缺陷 |
| 臺階聚集 | 由襯底結(jié)晶缺陷或襯底表面劃痕及潛在劃痕引起的表面為平行線簇的缺陷 |
| 凹坑缺陷 | 襯底內(nèi)的螺位錯引起的表面凹坑 |
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